Abteilung Schaltkreis-Design

Die Abteilung Schaltkreis-Design führt Forschung und Entwicklung auf dem Gebiet siliziumbasierter Mikrowellenschaltungen bei Frequenzen bis zu 124 GHz durch.

Die Hauptforschungsschwerpunkte sind zurzeit: RF-Komponenten und WLAN-Transceiver, Schaltungen für Autoradar, Ultrabreitband-Frontends mit geringer Leistungsaufnahme, A/D- und D/A-Wandler und Leistungselektronik (integrierte Leistungsverstärker, Schalter und Leistungssteuerung) auf der Basis integrierter RF- LDMOS und HBT's.

Die Aktivitäten der Abteilung Schaltkreis-Design und der Abteilung System-Design sind eng verzahnt, da RF-Schaltkreise Schlüsselbausteine drahtloser Systeme darstellen.

Mit der Forschungsarbeit auf dem Gebiet des Schaltkreisentwurfs wurde im Jahr 1997 begonnen. Die Abteilung beschäftigt zurzeit 17 Wissenschaftler, Doktoranden, Post-Docs und studentische Hilfskräfte.

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