Hochmodernes Equipment zur DC- und HF-Charakterisierung von einzelnen Bauelementen bis hin zur Funktionalmessung komplexer ASICs wird im Rahmen dieses Kompetenzfeldes unterstützt. Hierzu zählt beispielsweise die Messung von Streuparametern (S-parameter) bis 110 GHz an modernsten HF-Transistoren. Des Weiteren werden elektrooptische sowie rein optische Messungen von passiven photonischen und aktiven HF-Bauelementen auf Wafer-Level erforscht. Ergänzt werden diese Fähigkeiten durch ein breites Portfolio an Equipment zur Materialanalyse und Diagnostik von Bauelementen und Halbleitern sowie zur gezielten Schaltkreismanipulation.
