Die Abteilung Circuit Design führt Forschung und Entwicklung auf dem Gebiet siliziumbasierter Breitband- und Höchstfrequenzschaltungen bis zu 500 GHz durch.
Die Hauptforschungsschwerpunkte sind derzeit Silizium-basierte, integrierte Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeitsschaltungen und Mikrosysteme mit niedriger Leistungsaufnahme für die Kommunikation und Sensorik in der Automobil- und Industrietechnik sowie Sicherheits- und biomedizinischen Anwendungen.
Dies beinhaltet vor Allem SiGe BiCMOS RF-Komponenten und WLAN-Transceiver, Frontends für Automobilradare, Ultrabreitband- und Sensornetzwerk-Frontends mit geringer Leistungsaufnahme, A/D- und D/A-Umsetzer mit hohen Datenraten und breitbandige elektro-optische Sende- und Empfangskomponenten.
Die Aktivitäten der Abteilung Circuit Design sind eng verzahnt mit denen der System Design Abteilung, in welcher die RF-Schaltkreise als Schlüsselbausteine in schnellen und robusten drahtlosen Kommunikationslösungen und hochauflösenden Sensorsystemen fungieren.
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