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SiGeSn-NanoFETs

Zielstellung

Das Ziel des Projekts ist die Erforschung integrierbarer, SiGeSn-basierter Transistorstrukturen und die Etablierung einer CMOS-integrierbaren SiGeSn-Bauelementtechnologieplattform durch Optimierung der Materialherstellung und Entwicklung einer geeigneten Bauelementprozesstechnologie.

Beitrag des IHP

  • Herstellung der Ge-Buffer
  • Charakterisierung der hergestellten SiGeSn-Bauelemente und -Strukturen

Finanzierung

Das Projekt wird durch das BMBF gefördert.

Projektpartner

  • RWTH Aachen

  • Forschungszentrum Jülich

  • Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

  • Universität Stuttgart

Das Gebäude und die Infrastruktur des IHP wurden finanziert vom Europäischen Fonds für regionale Entwicklung, von der Bundesregierung und vom Land Brandenburg.