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Technologieplattform für drahtlose und Breitbandkommunikation

Unsere Projekte

Die Realisierung der Forschungsprogramme erfolgt mit Hilfe eines regelmäßig aktualisierten Portfolios von Projekten auf Basis einer mittelfristigen Roadmap. Die Aktualisierung geschieht aufgrund inhaltlicher Erfordernisse sowie der Möglichkeiten für Kooperationen und Finanzierung. Projektübersicht

Die Forschung verfolgt konsequent eine "More than Moore" Strategie entsprechend der ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Schwerpunkt der Arbeiten sind damit nicht Aufgaben für skalierte CMOS Technologien, sondern die Erforschung und Entwicklung von Technologiemodulen, die CMOS Technologien in der Funktionalität deutlich erweitern.

 

Als Basistechnologie dafür dienen die 0,25 µm bzw. 0,13 µm BiCMOS Technologien, die sowohl für die Forschung als auch für den Service genutzt werden. Mit der 0,13 µm BiCMOS steht eine Technologie zur Verfügung, die eine relevante Forschungs- und Entwicklungsumgebung für die "More than Moore" Prozessmodulintegration bietet. Die strategischen Forschungsthemen sind THz-Bauelemente, Si Photonik und MEMS (Mikroelektromechanische Systeme), aber auch passive Komponenten mit hoher Güte und Sensorik.

 

Dabei wird ein monolithischer Integrationsansatz, also die Integration der Module in die BiCMOS Basistechnologie, verfolgt. Dieser Ansatz ermöglicht die Kombination von Elektronik mit der Funktionalität der integrierten Module auf einem Chip. Dadurch wird das Anwendungsspektrum der Technologien für System-on-Chip entscheidend erweitert. Auf der Basis der 0,25 µm und 0,13 µm BiCMOS-Plattformen werden innovative, leistungssteigernde Technologiebausteine für Anwendungen in der Drahtlos- und Breitbandkommunikation sowie der Sensorik entwickelt und mittels MPW- und Prototyping-Service sowohl internen als auch externen Kunden auf industrierelevantem Niveau zur Verfügung gestellt.

 

Eine strategische Erweiterung dieses Forschungsprogrammes besteht in der Heterointegration von Technologien in Kooperation mit externen Partnern. Beispiel dafür ist die Kombination der Si basierten IHP Technologie mit der III/V Technologie des Ferdinand Braun Institutes in einem "On-Top-of-Chip" Ansatz innerhalb des Projektes HITEK um die Vorteile beider Technologien für Anwendungen verfügbar zu machen.

Kommissarische Abteilungsleiter
Abteilungsleiter

Dr. Andreas Mai

 

IHP 

Im Technologiepark 25

15236 Frankfurt (Oder)

Deutschland

 

Sekretariat:

 

Monika Schultze

Tel.: +49 335 5625 660

Fax: +49 335 5625 327

Abteilungsleiter

Dr. Mehmet Kaynak

 

IHP 

Im Technologiepark 25

15236 Frankfurt (Oder)

Deutschland

 

Sekretariat:

 

Katja Albani

Tel.: +49 335 5625 670

Fax: +49 335 5625 327

Abteilung Technologie

Erfahren Sie mehr über die dem Forschungsprogramm angeschlossene Abteilung.

Das Gebäude und die Infrastruktur des IHP wurden finanziert vom Europäischen Fonds für regionale Entwicklung, von der Bundesregierung und vom Land Brandenburg.