Wafer-Level-Messung

Elektrische Charakterisierung auf dem Wafer im Reinraum und im Labor

DC- und CV-Parametertest

  • SPC (Statistische Parameter-Kontrolle)
  • Zuverlässigkeitstests (von -60°C  bis 125°C)
  • Ausbeute-Test, Fehleranalyse
  • Messung der Interface- und Bulk-Eigenschaften von MOS - Strukturen
  • Charakterisierung der elektrostatischen Entladung (ESD)

Methoden:

  • DC/CV- und Pulssignal-Techniken unter Verwendung von Einzel- und Mehrfach -Probes, und Probecards
  • simultane HF/LF-MOS-CV-Technik im nichtstationären Nichtgleichgewicht  zur Untersuchung der Interface- und Bulk-Eigenschaften des MOS-Systems
  • Ringoszillator-Messungen zur Bestimmung von Gate-Delays im sub ps-Bereich
  • TLP (Transmission Line Pulser) und HBM (Human Body Model) für ESD-Tests
  • 1/f-Rauschmessungen im Niederfrequenzbereich

Ausstattung:

  • DC-Parametertester (Keithley S630) mit vollautomatischen 8" Waferprobern im Reinraum und Labor
  • IHP-proprietärer  HF/LF-MOS-CV-Messplatz für Messungen im nichtstationären Nichtgleichgewicht
  • DC/CV-Parametertestsysteme (Agilent 4156C, 4294A) mit halbautomatischen 8"- und 12"-Waferprobern
  • Kryo-Antastsysteme für DC-, RF- und S-Parametermessungen, 4" Chuck, T bis zu flüssiger He-Temperatur
  • 1/f-Rauschmessungen (Proplus 9812DX)
  • TLP-, vf-TLP- und HBM-Messungen (HPPI TLP-4010C )

Mixed-Signal-Prototypentest

  • Prototypen-Charakterisierung von IHP- und kundenspezifischen Designs, die in der IHP-Pilotlinie gefertigt werden

Methoden:

  • Chip Test mit analogen und digitalen Testsignalen
  • Bitfehlerraten-Test (BERT) bis zu 32 Gbit/s

Ausstattung:        

  • PXI-System mit flexibler modularer Messgerätearchitektur, robustes PC-basiertes Hochleistungs-Mixed-Signal-Messsystem
  • Agilent BERT-System: Pseudozufallsgenerator für binäre Sequenzen (PRBS)
  • 70 GHz Abtastoszilloskop: Agilent Infiniium DCA-X 86100D
  • Mustergenerator: Agilent N4951B
  • serieller BERT: Agilent N4960A

RF S-Parameter und  RF Rauschmessungen

  • S-Parameter-Messungen für ultraschnelle HBT-Bauelemente mit fmax > 500 GHz
  • RF-Rauschparameter-Charakterisierung

Methoden:

  • Zwei-Tor-S-Parameter-Messung
  • 110 GHz - 170 GHz (300K - 358K)
  • 1 kHz - 120 GHz (300K - 358K)
  • 10 MHz - 67 GHz (233K - 398K)
  • 10 MHz - 50 GHz (300K - 358K)
  • Vier-Tor-S-Parameter-Messung (oder echte differentielle Zwei-Tor-Messung)
  • 10 MHz - 50 GHz
  • 1 kHz - 120 GHz

Ausstattung:                

  • Agilent Netzwerk-Analysator: E7350A, E8364A, 8720ES, E8361A
  • Keysight Netzwerkanalysator: N5245A, N5291A
  • Rohde & Schwarz: ZVA24
  • RF-Rauschen: Rauschquelle N4002A @ 2 - 26.5 GHz (Temp. 300 K - 358 K)

Dr.-Ing. Roland Sorge

IHP
Im Technologiepark 25
15236 Frankfurt (Oder)
Deutschland

Telefon: +49 335 5625 127
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