Projektziel
Das Ziel des Projekts ist die Erforschung integrierbarer, SiGeSn-basierter Transistorstrukturen und die Etablierung einer CMOS-integrierbaren SiGeSn-Bauelementtechnologieplattform durch Optimierung der Materialherstellung und Entwicklung einer geeigneten Bauelementprozesstechnologie.
IHP's Beitrag
- Herstellung der Ge-Buffer
- Charakterisierung der hergestellten SiGeSn-Bauelemente und -Strukturen
Förderung
Dieses Projekt ist durch das BMBF gefördert.
Projektpartner
- RWTH Aachen
- Forschungscenter Jülich
- Helmholtz Center Dresden-Rossendorf
- Universität Stuttgart
