SiGeSn-NanoFETs

Projektziel

Das Ziel des Projekts ist die Erforschung integrierbarer, SiGeSn-basierter Transistorstrukturen und die Etablierung einer CMOS-integrierbaren SiGeSn-Bauelementtechnologieplattform durch Optimierung der Materialherstellung und Entwicklung einer geeigneten Bauelementprozesstechnologie.

IHP's Beitrag

  • Herstellung der Ge-Buffer
  • Charakterisierung der hergestellten SiGeSn-Bauelemente und -Strukturen

Förderung

Dieses Projekt ist durch das BMBF gefördert.

Projektpartner

  • RWTH Aachen
  • Forschungscenter Jülich
  • Helmholtz Center Dresden-Rossendorf
  • Universität Stuttgart

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