Untersuchung der Langzeitdegradation des Hochfrequenzverhaltens von SiGe-Heterojunction-Bipolartransistoren und Schaltungen
Die übergeordneten Ziele dieses Projekts sind die experimentelle Untersuchung und vorläufige Modellierung der Langzeitdegradationseffekte von SiGe-HBTs und ausgewählten mm-Wellen-Schaltungsblöcken. Im Besonderen:
- Die Untersuchungen werden für die am weitesten fortgeschrittenen IHP-HBT-Technologien durchgeführt.
- Die Untersuchungen werden sich stark auf die Gewinnung experimenteller Ergebnisse konzentrieren, wobei der Schwerpunkt auf der Bestimmung des Ausmaßes der Degradation in der Hochfrequenz-Bauelement- und Schaltungsleistung aus Stress-Experimenten, sowohl an einzelnen Bauelementen als auch an Schaltungen liegt.
- Es werden erste (vorzugsweise physikalisch basierte) Formulierungen zur Beschreibung von zeitabhängigen Degradationseffekten in den HBTs und ihren Kontaktbereichen entwickelt, die für kompakte Modelle geeignet sind.
IHP's Beitrag
- Prozessintegration, Bauelemente- und Schaltungsfertigung, Langzeit-DC-Stresstests und 1/f-Rauschmessungen vor/nach Stress
- Entwicklung einer zuverlässigkeitsbezogenen HBT-Parameterbestimmung
- Gewinnung eines physikalischen Verständnisses der Degradationsmechanismen und ihrer Auswirkungen auf die HF-Schaltungsleistung
Förderung
Dieses Projekt wurde von der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG) gefördert - Projekt Nr. 391631565.
Projektpartner
- Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente und Integrierte Schaltungen (CEDIC), TU Dresden
