plaCMOS wird die Integration neuartiger ferroelektrischbasierter plasmonisch-photonischer Modulatoren, SiGe-Photodetektoren und BiCMOS-Elektronik im Wafer-Maßstab in einer superschnellen, mikrometergroßen optischen Maschine verfolgen, die NRZ-Daten mit der weltweit höchsten Geschwindigkeit von 200 Gbit/s pro optischem Kanal senden und empfangen kann. plaCMOS wird sich auf diesen bahnbrechenden Fortschritt stützen, um die Skalierbarkeit von thermisch unabhängigen Multi-Transceiver-Chips zu demonstrieren, die den Weg für die nächste Generation von Tbit/s-Transceivern in monolithischen Chips ebnen, die den Industriestandards entsprechen und gleichzeitig die Leistungserwartungen übertreffen. plaCMOS' technologische Geschwindigkeits- und Skalierbarkeitsvorteile werden in voll funktionsfähigen ein- und mehrkanaligen (CWDM-basiert und in SDM-basierten) Transceiver-Prototyp-Baugruppen validiert, die eindeutig beide Technologie-Roadmaps für zukünftige Rechenzentren adressieren und die strengen Anforderungen für Frontplatten mit hoher Portanzahl in Switches und Servern bei bester Kosten/Leistungsschnittmenge aufheben. Im gleichen Zusammenhang wird plaCMOS die Anwendung seiner PIC-Plattform in zukunftsweisenden Anwendungen untersuchen, die zu fortschrittlicheren rekonfigurierbaren Transceivern führen können.
Förderung
EU-H2020
Projektpartner
- IBM Zürich
- ETH Zürich
- MICRAM
- Mellanox