MPW-Zeitplan 2026 & 2027 und Preisinformationen 2026

Algemeine Technologiebeschreibung

Das IHP bietet Standard-0,25- und 0,13-μm-CMOS-Prozesse an, die NMOS, PMOS, isolierte NMOS und passive Bauelemente wie Poly-Widerstände und MIM-Kondensatoren bereitstellen. Zusätzlich zu den Standard-CMOS-Prozessen werden verschiedene Front-End-of-Line-Optionen angeboten. Bei 0,25 μm CMOS bietet das Standard Aluminium-BEOL Backend drei dünne Metallschichten und zwei TopMetal-Schichten (TopMetal1 - vierte 2 μm dicke Metallschicht, TopMetal2 - fünfte 3 μm dicke Metallschicht). Das Al-BEOL Backend für den 0,13 μm-Prozess bietet 5 dünne und 2 dicke Metallschichten (TM1: 2 μm TM2: 3 μm). Zusammen mit einem hohen dielektrischen Stapel ermöglicht dies eine erhöhte Leistung der passiven HF-Komponenten.

Es werden Technologien mit einer verbesserten Kupfer BEOL-Option angeboten.

Technologien für MPW & Prototyping

SG13SEine hochleistungsfähige 0,13 μm BiCMOS Technologie mit npn-HBTs mit Grenzfrequenzen bis zu fT = 250 GHz und fmax = 340 GHz, mit 3,3 V I/O CMOS und 1,2 V Logik CMOS.
SG13G2Eine 0,13 μm BiCMOS Technologie mit dem gleichen Bauelemente-Portfolio wie SG13S, aber deutlich höherer bipolarer Leistung mit fT/fmax = 350/450 GHz.
SG13CMOS‍Eine RF-CMOS-Technologie, die alle Funktionen von SG13G2 umfasst, jedoch keine zweipoligen HBTs enthält.
SG13SCuFEOL-Prozess SG13S zusammen mit Cu-BEOL-Option von X-FAB mit 4 dünnen Cu-Lagen, zwei 3 μm Cu-Lagen, einer dünnen Al-Lage mit 2 fF/μm MIM-Kondensator und einer 2,8 μm-Aluminium-Decklage.
SG13G2CuFEOL-Prozess SG13G2 zusammen mit Cu-BEOL-Option von X-FAB mit 4 dünnen Cu-Lagen, zwei 3 μm Cu-Lagen, einer dünnen Al-Lage mit 2 fF/μm MIM-Kondensator und einer 2,8 μm-Aluminium-Decklage.
SG13G3CuIHP's leistungsstärkste HBTs mit ft/fmax = 470/650 GHz. Der Prozess bietet einen 8-lagigen Cu-BEOL von X-FAB mit 4 dünnen Cu-Lagen, 2 dicken 3μm Cu-Lagen, einer dünnen Al-Lage mit 2 fF/μm MIM-Kondensator und einer 2,8 μm Aluminium-Decklage. Diese Technologie bietet CMOS-Bauelemente mit 130 nm Gatelänge und 1,2 V Kernspannung sowie Hochspannungs-CMOS-Bauelemente mit einer Kernspannung von 3,3 V.
SG25H7_EPICEine monolithische photonische BiCMOS-Technologie, die 0,25-µm-CMOS, leistungsstarke npn-HBTs (fT/fmax = >350/>500 GHz) und einen kompletten photonischen Bauelementesatz für das C/O-Band kombiniert.
SGB25RHEine spezielle Variante der SGB25V-BiCMOS-Technologie, die strahlungsfeste IPs für Weltraumanwendungen enthält.
INTM4TM2Interposer-Technologie, die zwei dünne und zwei dicke Al-BEOL-Schichten auf einem Substrat mit hoher Widerstandsfähigkeit bietet. Darüber hinaus enthält sie einen MIM-Kondensator und einen Dünnschichtwiderstand.

Ein Cadence-basiertes Mixed Signal Design Kit ist verfügbar. Für Hochfrequenz-Designs kann ein analoges Design Kit in Keysight ADS verwendet werden. Zur Unterstützung Ihrer Designs werden wiederverwendbare Blöcke und IPs des IHP für Wireless und Broadband angeboten.

Folgende Module sind verfügbar

LBEDas Localized Backside Etching Modul wird angeboten, um Silizium lokal zu entfernen, um die passiven Eigenschaften zu verbessern (verfügbar in allen Al-BEOL Technologien).
H7PICEnthält spezielle photonische Design-Ebenen zusammen mit den BiCMOS-BEOL-Ebenen auf SOI-Wafern.
TSVIst eine zusätzliche Option in der SG13S- und SG13G2-Technologie, die RF-Erdung durch Durchkontaktierungen durch Silizium bietet, um die RF-Leistung zu verbessern.

2.1 MPW Preisinformationen 2026

Nicht-kommerzieller Zugriff

Für europäische Non-Profit- und Bildungs-Einrichtungen werden spezielle Rabatte für Forschungsprojekte über EUROPRACTICE angeboten.

2.1.1 Preise für Technologien 

Prozess     Fläche Preis / mm2
SGB25RH€ 3050
SG25H7_EPIC€ 9000
SG13S€ 6300
SG13C€ 4500
SG13G2€ 7300
SG13G3€ 9000
SG13SCu€ 6300
SG13G2Cu€ 7300
SG13G3Cu€ 9000

 

2.1.2 Preise für Module

Modul (Prozess)Preis
LBE (alle Al BEOL)€ 5000 pro Bestellung und Technologie
BEOL (nur) 0.13µm (SG13)€ 1300 (pro mm2)
SG25_H7PIC€ 3800 (pro mm2)
TSV (S, G2)€ 12500 pro Bestellung
MEMRES (S)€ 2500 pro Run + € 600 pro mm2
INTM4TM2€ 900 (pro mm2)

 

2.2 MPW-Zeitplan

Für alle Runs mit fettgedruckten Versandzeiten ist eine Mindestflächenbestellung von 0,8 mm2 erforderlich. Für alle in Klammern markierten Technologien oder Module ist eine Mindestflächenbestellung erforderlich. Für Details siehe Kapitel 2.4. Die TAPE IN-Zeit wird in einer Spalte "TAPE IN" angegeben, die Versandzeit in den entsprechenden Tabellenzellen.

Zeitplan für komplette Technologien

2026

TAPE INSG25SG13
 EPIC H7CMOS**SMEMRESSCuG2CuG2G3G3Cu
3. Nov 2513.
Jul 
        
24. Nov 25 18.
Mai *
       
8. Dez 25  21.
Sep *
08.
Okt *
13.
Aug *
29.
Jun
10.
Jun
26.
Jul
09.
Jul
16. Mrz 26     07.
Sep
  17.
Sep
30. Mrz 26 02.
Okt *
       
1. Jun 26  15.
Mrz *
04.
Feb *
  16.
Dez
  
31. Aug 26  18.
Mai *
 10.
Mai *
05.
Mrz
12.
Apr
19.
Apr
04.
Mrz
6. Okt 26      30.
Jun **
  
2. Nov 2605.
Jul
        
16. Nov 26 10.
Mai *
       
7. Dez 26  20.
Sep *
02.
Jul *
12.
Aug *
28.
Jun
16.
Jun
22.
Jun
08.
Jul
15. Mrz 27     06.
Sep
   
30. Mrz 27 16.
Sep *
       
31. Mai 27  13.
Mrz *
03.
Feb *
  15.
Dez
  
30. Aug 27  15.
Mai *
 04.
Mai *
21.
Feb
10.
Apr
18.
Apr
02.
Mrz
4. Okt 27      25.
Jun **
  
1. Nov 2705.
Jul
        
15. Nov 27 08.
Mai *
       
6. Dez 27  18.
Sep *
30.
Jun *
10.
Aug *
26.
Jun
14.
Jun
20.
Jun
06.
Jul

2027

Änderungen für den Zeitplan 2027 sind bis zum 1. Dezember 2026 möglich.

TAPE INSG25        
 EPIC H7CMOS**SMEMRESSCuG2CuG2G3G3Cu
1. Nov 2705.
Jul
        
15. Nov 27 08.
Mai *
       
6. Dez 27  18.
Sep *
30.
Jun *
10.
Aug *
26.
Jun
14.
Jun
20.
Jun
06.
Jul
15. Mrz 27     06.
Sep
   
30. Mrz 27 16.
Sep *
       
31. Mai 27  13.
Mrz *
03.
Feb *
  15.
Dez
  
30. Aug 27  15.
Mai *
 04.
Mai *
21.
Feb
10.
Apr
18.
Apr
02.
Mrz
4. Okt 27      25.
Jun **
  
1. Nov 2703.
Jul
        
15. Nov 27 08.
Mai *
       
6. Dez 27  18.
Sep *
30.
Jun *
10.
Aug *
26.
Jun
14.
Jun
20.
Jun
06.
Jul

* Läuft mit niedrigerer Priorität
** Open-Source MPW läuft unter besonderen Bedingungen, diese finden Sie hier.

Lokale Rückseitenätzung (LBE) wird für Runs mit X-FAB nicht angeboten. Für alle anderen Runs ist LBE verfügbar und der Versand erfolgt 21 Tage später als der Standardversand. TSV-Module sind für SG13S- und SG13G2-Technologien verfügbar und führen bei Runs mit niedriger Priorität zu einer 35 Tage längeren Durchlaufzeit.

2.2.1 BEOL (only)/Interposer/PIC runs

TAPE INSG13 BEOLSG25_PIC_H7IntM4TM2TSV
9. Feb 26 20. Aug  
13. Apr 26  01. Jul 
15. Jun 2626. Okt  02. Dez *
24. Aug 26  11. Nov 

Es kann zu internen Runs kommen, deren Zeitplan noch nicht bestätigt ist. Wenn Sie an solchen Runs teilnehmen möchten, wenden Sie sich bitte an unseren Kundensupport, um weitere Informationen zu erhalten.

2.3 Informationen zur Mindestfläche pro MPW Run

In den Zeitplantabellen in Kapitel 2.2 und 2.3 ist für ausgewählte Technologien bzw. Module ein Mindestflächenbedarf von 0,8 mm². Dies gilt für alle Technologien bzw. Module, die mit fettgedruckten Lieferzeiten gekennzeichnet sind. Für alle Technologien bzw. Module, die mit grau-kursiv eingeklammerten Versandzeiten gekennzeichnet sind, ist eine Mindestflächenbestellung wie in der folgenden Tabelle angegeben erforderlich. Eine Anmeldung 4 Wochen vor TAPE out, gefolgt von der Bestätigung durch IHP, ist in diesem Fall notwendig. Standardmäßig sind diese zusätzlichen Runs ohne Priorität. Eine Kombination von 0,25 μm basierten Runs und 0,13 μm basierten Runs ist nicht möglich.

ProzessMin Fläche [mm²]Min Fläche1 für Rabatt
SG25H7_EPIC10-
SGB25RH25-
SG13S1010
SG13CMOS--
SG13G21010
SG13G310-
SG13SCu1010
SG13G2Cu1010
SG13G3Cu1010
SG25_H7PIC1212

1 Bitte kontaktieren Sie uns, falls Sie eine größere Fläche reservieren möchten.

Lieferung

Als Standard werden 40 Samples geliefert. Ausnahmen sind Designs mit TSV-Modul und SG25_H7PIC. Hier werden standardmäßig 25 Samples ausgeliefert. Die Lieferung umfasst E-Test-Daten und HF-Messungen.

Optionen für das Backlapping:

  • 200 µm (keine Zusatzgebühr)
  • 300 µm (keine Zusatzgebühr)
  • 250 µm (Zusatzgebühr)
  • 150 µm (Zusatzgebühr)
  • 100 µm (Zusatzgebühr)
  • 75 µm (nur für TSV-Modul)

Research Engineering Runs

Das IHP bietet komplette Maskensätze nur für Forschungszwecke und Prototyping an. Werden zu einer qualifizierten Technologie kundenspezifische Module hinzugefügt, gilt diese Technologie als nicht qualifiziert mit Status "Early Access". Gern senden wir Ihnen ein Angebot.

Allgemeine Geschäftsbedingungen des IHP »

Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an:

Dr. René Scholz

IHP GmbH 
Im Technologiepark 25 
15236 Frankfurt (Oder) 
Germany 

Phone: +49 335 5625 647
Fax: +49 335 5625 327
Send e-mail »

 

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