MPW-Zeitplan 2024 & 2025 und Preisinformationen 2024

Algemeine Technologiebeschreibung

Das IHP bietet Standard-0,25- und 0,13-μm-CMOS-Prozesse an, die NMOS, PMOS, isolierte NMOS und passive Bauelemente wie Poly-Widerstände und MIM-Kondensatoren bereitstellen. Zusätzlich zu den Standard-CMOS-Prozessen werden verschiedene Front-End-of-Line-Optionen angeboten. Bei 0,25 μm CMOS bietet das Standard-Backend 3 dünne Metallschichten und zwei TopMetal-Schichten (TopMetal1 - vierte 2 μm dicke Metallschicht, TopMetal2 - fünfte 3 μm dicke Metallschicht). Das Backend für den 0,13 μm-Prozess bietet 5 dünne und 2 dicke Metallschichten (TM1: 2 μm TM2: 3 μm). Zusammen mit einem hohen dielektrischen Stapel ermöglicht dies eine erhöhte Leistung der passiven HF-Komponenten.

Es werden Technologien mit einer verbesserten BEOL-Option mit Kupfer angeboten.

Technologien für MPW & Prototyping

SG13S Eine hochleistungsfähige 0,13 μm BiCMOS Technologie mit npn-HBTs mit Grenzfrequenzen bis zu fT = 250 GHz und fmax = 340 GHz, mit 3,3 V I/O CMOS und 1,2 V Logik CMOS.
SG13G2 Eine 0,13 μm BiCMOS Technologie mit dem gleichen Bauelemente-Portfolio wie SG13S, aber deutlich höherer bipolarer Leistung mit fT/fmax = 350/450 GHz.
SG13SCu FEOL-Prozess SG13S zusammen mit Cu-BEOL-Option von X-FAB mit 4 dünnen Cu-Lagen, zwei 3 μm Cu-Lagen, einer dünnen Al-Lage mit 2 fF/μm MIM-Kondensator und einer 2,8 μm-Aluminium-Decklage.
SG13G2Cu FEOL-Prozess SG13G2 zusammen mit Cu-BEOL-Option von X-FAB mit 4 dünnen Cu-Lagen, zwei 3 μm Cu-Lagen, einer dünnen Al-Lage mit 2 fF/μm MIM-Kondensator und einer 2,8 μm-Aluminium-Decklage.
SG13G3Cu

IHP's leistungsstärkste HBTs mit ft/fmax = 470/650 GHz. Der Prozess bietet einen 8-lagigen Cu-BEOL von X-FAB mit 4 dünnen Cu-Lagen, 2 dicken 3μm Cu-Lagen, einer dünnen Al-Lage mit 2 fF/μm MIM-Kondensator und einer 2,8 μm Aluminium-Decklage. Diese Technologie bietet CMOS-Bauelemente mit 130 nm Gatelänge und 1,2 V Kernspannung sowie Hochspannungs-CMOS-Bauelemente mit einer Kernspannung von 3,3 V.

SG25H5_EPIC Eine monolithische photonische BiCMOS-Technologie, die 0,25-µm-CMOS, leistungsstarke npn-HBTs (fT/fmax = 220/290 GHz) und einen kompletten photonischen Bauelementesatz für das C/O-Band kombiniert.
SGB25RH Eine spezielle Variante der SGB25V-BiCMOS-Technologie, die strahlungsfeste IPs für Weltraumanwendungen enthält. Es ist nicht erlaubt, die hier enthaltene strahlungsfeste Process Design Kit IP zusammen mit der SGB25V-Technologie zu verwenden.

Ein Cadence-basiertes Mixed Signal Design Kit ist verfügbar. Für Hochfrequenz-Designs kann ein analoges Design Kit in Keysight ADS verwendet werden. Zur Unterstützung Ihrer Designs werden wiederverwendbare Blöcke und IPs des IHP für Wireless und Broadband angeboten.

Folgende Module sind verfügbar

LBE Das Localized Backside Etching Modul wird angeboten, um Silizium lokal zu entfernen, um die passiven Eigenschaften zu verbessern (verfügbar in allen Technologien).
PIC Enthält spezielle photonische Design-Ebenen zusammen mit den BiCMOS-BEOL-Ebenen auf SOI-Wafern.
TSV Ist eine zusätzliche Option in der SG13S- und SG13G2-Technologie, die RF-Erdung durch Durchkontaktierungen durch Silizium bietet, um die RF-Leistung zu verbessern.

 

2.1 MPW Preisinformationen 2024

Nicht-kommerzieller Zugriff

Für europäische Non-Profit- und Bildungs-Einrichtungen werden spezielle Rabatte für Forschungsprojekte über EUROPRACTICE angeboten.

2.1.1 Preise für Technologien 

Prozess      Fläche Preis / mm2
SGB25RH € 3050
SG25H5_EPIC € 8000
SG13S € 6300
SG13C € 4500
SG13G2 € 7300
SG13G3 € 9000
SG13SCu € 6300
SG13G2Cu € 7300
SG13G3Cu € 9000

 

2.1.2 Preise für Module

Modul (Prozess) Preis
LBE (alle Al BEOL) € 5000 pro Bestellung und Technologie
BEOL (nur) 0.13µm (SG13) € 1000 (pro mm2)
SG25_PIC € 3800 (pro mm2)
TSV (S, G2) € 12500 pro Bestellung
MEMRES (S) € 2500 pro Run + € 600 pro mm2
TSV_RDL (S, G2) € 27000 pro Run

 

2.2 MPW-Zeitplan 2024

Für alle Runs mit fettgedruckten Versandzeiten besteht ein Mindestflächenbedarf von nur 0,8 mm2. Für alle Technologien oder Module, die in Klammern gekennzeichnet sind, ist eine Mindestflächenbestellung erforderlich. Details siehe Kapitel 2.4. Die TAPE IN-Zeit wird in einer Spalte "TAPE IN" angegeben, die Versandzeit in den entsprechenden Tabellenzellen.

2.2.1 Zeitplan für komplette Technologien

TAPE IN SGB25 SG25 SG13
  RH** EPIC S (C) MEMRES SCu G2Cu G2 G3 G3Cu
Nov 6, 23  *** Dec 5              
Dec 11, 23     Jun 17* Jun 30 Jul 08* Jun 13 Jun 30* Jul 17 Jul 17
Mar 18, 24         Aug 29 Sep 17      
May 27, 24     Nov 18* Dec 12     Nov 27*    
Aug 5, 24     Feb 17*   Feb 17* Feb 10 Feb 10 Feb 24 Feb 25
Nov 4, 24  (Apr 2) Oct 13              
Dec 9, 24     Jun 21* Jun 30 Jun 23* Jun 12 Jun 30* Jul 16 Jul 16

* Runs mit niedrigerer Priorität
** TAPE IN für digitale Blöcke, die die IHP-Radhard-Bibliothek verwenden, ist 1 Monat vor Standard TAPE IN
*** TAPE IN auf besondere Anfrage erhältlich

Lokale Rückseitenätzung (LBE) wird für Runs mit X-FAB nicht angeboten. Für alle anderen Runs ist LBE verfügbar und der Versand erfolgt 21 Tage später als der Standardversand. TSV- und RDL-Module sind für SG13S- und SG13G2-Technologien verfügbar. Bei Runs mit niedriger Priorität verlängert sich die Durchlaufzeit für TSV-Module um 35 Tage und für RDL-Module um 42 Tage. 

2.2.2 BEOL (only)/SG25_PIC-Runs

Aluminium Backend of Line Runs werden in SG13 nur für die Prüfung von passiven Strukturen angeboten. Produziert sind Metall1 und alle darüber liegenden Schichten. Auf Anfrage wird lokales Rückseitenätzen (LBE) für SG13 BEOL Runs angeboten. Der SG25_PIC Run wird auf photonischen Substraten angeboten und umfasst aktive und passive photonische Bauelemente.

TAPE IN SG13 SG25_PIC TSV RDL
Feb 26, 24 May 15   Jul 9 Jul 9
Aug 12, 24   Jan 10    

Es kann interne BEOL- oder SG25_PIC-Runs geben, ohne bestätigten Zeitplan. Wenn Sie an einem solchen Run interessiert sind, fragen Sie bitte unseren Kundensupport nach weiteren Details.

2.3 MPW-Zeitplan 2025

Änderungen sind bis zum 1. Dezember 2024 möglich.

Für alle Runs mit fettgedruckten Versandzeiten ist eine Mindestflächenbestellung von 0,8 mm2 erforderlich. Für alle in Klammern markierten Technologien oder Module ist eine Mindestflächenbestellung erforderlich. Für Details siehe Kapitel 2.4. Die TAPE IN-Zeit wird in einer Spalte "TAPE IN" angegeben, die Versandzeit in den entsprechenden Tabellenzellen.

Zeitplan für komplette Technologien

TAPE IN   SG25 SG13
  CMOS EPIC S (C) MEMRES SCu G2Cu G2 G3 G3Cu
Nov 4, 24   Oct 13              
Dec 9, 24     Jun 21* Jun 30 Jun 23* Jun 12 Jun 30** Jul 16 Jul 16
Mar 17, 25         Sep 10* Aug 15     Oct 5
Apr 21, 25             Nov 28***    
May 26, 25     Nov 18* Nov 8     Nov 7    
Sep 8, 25     Feb 19     Mar 10 Apr 1* Mar 29 Mar 29
Sep 15, 25 Feb 4***                
Nov 3, 25   Oct 7              
Dec 8, 25     Jun 20* Jul 8 Jul 6* Jun 27 Jun 6 Jul 15 Jul 15

* Runs mit niedrigerer Priorität
** TAPE IN für digitale Blöcke, die die IHP-Radhard-Bibliothek verwenden, ist 1 Monat vor Standard TAPE IN
*** TAPE IN auf besondere Anfrage erhältlich

Lokale Rückseitenätzung (LBE) wird für Runs mit X-FAB nicht angeboten. Für alle anderen Runs ist LBE verfügbar und der Versand erfolgt 21 Tage später als der Standardversand. TSV-Module sind für SG13S- und SG13G2-Technologien verfügbar und führen bei Runs mit niedriger Priorität zu einer 35 Tage längeren Durchlaufzeit..  

2.4 Informationen zur Mindestfläche pro MPW Run

In den Zeitplantabellen in Kapitel 2.2 und 2.3 ist für ausgewählte Technologien bzw. Module ein Mindestflächenbedarf von 0,8 mm². Dies gilt für alle Technologien bzw. Module, die mit fettgedruckten Lieferzeiten gekennzeichnet sind. Für alle Technologien bzw. Module, die mit grau-kursiv eingeklammerten Versandzeiten gekennzeichnet sind, ist eine Mindestflächenbestellung wie in der folgenden Tabelle angegeben erforderlich. Eine Anmeldung 4 Wochen vor TAPE out, gefolgt von der Bestätigung durch IHP, ist in diesem Fall notwendig. Standardmäßig sind diese zusätzlichen Runs ohne Priorität. Eine Kombination von 0,25 μm basierten Runs und 0,13 μm basierten Runs ist nicht möglich.

Prozess Min Fläche [mm²] Min Fläche1 für Rabatt
SG25H5_EPIC 10 -
SGB25RH 25 -
SG13S 10 10
SG13C - -
SG13G2 10 10
SG13G3 10 -
SG13SCu 10 10
SG13G2Cu 10 10
SG13G3Cu 10 10
SG25_PIC 12 12

1 Bitte kontaktieren Sie uns, falls Sie eine größere Fläche reservieren möchten.

Lieferung

Als Standard werden 40 Samples geliefert. Ausnahmen sind Designs mit TSV-Modul und SG25_PIC. Hier werden standardmäßig 25 Samples ausgeliefert. Die Lieferung umfasst E-Test-Daten und HF-Messungen.

Optionen für das Backlapping:

  • 200 µm (keine Zusatzgebühr)
  • 300 µm (keine Zusatzgebühr)
  • 250 µm (Zusatzgebühr)
  • 150 µm (Zusatzgebühr)
  • 100 µm (Zusatzgebühr)
  • 75 µm (nur für TSV-Modul)

Auf Wunsch sind Hot Lots und zusätzliche Dies erhältlich.

Research Engineering Runs

Das IHP bietet komplette Maskensätze nur für Forschungszwecke und Prototyping an. Werden zu einer qualifizierten Technologie kundenspezifische Module hinzugefügt, gilt diese Technologie als nicht qualifiziert mit Status "Early Access". Gern senden wir Ihnen ein Angebot.

Allgemeine Geschäftsbedingungen des IHP »

Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an:

Dr. René Scholz

IHP GmbH 
Im Technologiepark 25 
15236 Frankfurt (Oder) 
Germany 

Phone: +49 335 5625 647
Fax: +49 335 5625 327
Send e-mail »

 

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