Die Forschungsgruppe Off-Line Characterization unterstützt die Forschungstätigkeit des IHP durch ein breites Spektrum an Untersuchungsmethoden und Analysegeräten.
Forschungsziele
Unsere Analysemethoden erstrecken sich auf folgende Anwendungsgebiete:
- Visualisierung der Oberflächen- und Querschnittsmorphologie integrierter Schaltkreise
- Verunreinigungsanalyse von Si-Wafern (Quantifizierung und Mapping)
- Tiefenprofilanalyse von Dotierungen (Quantifizierung und grafische Profildarstellung)
- Bestimmung von Schichtdicken und Stöchiometrien an dünnen Filmen
- Analyse von Kristallstruktur und Verspannungen in Epitaxieschichten
- Oberflächenanalyse auf organische Verunreinigungen
- Fehleranalyse an integrierten Schaltkreisen
- Schaltkreismodifikationen
Forschungsschwerpunkte
- physikalische und chemische Materialanalyse
- Charakterisierung und Diagnostik
Eine genaue analytische Charakterisierung der im IHP entworfenen und hergestellten integrierten Schaltkreise ist Voraussetzung für deren hohe Leistungsfähigkeit. Wir entwickeln an BiCMOS- und Photonik-Technologien angepasste Analysekonzepte. Aussagefähige Schaltkreischarakterisierungen umfassen u. a. hochaufgelöste Abbildungen, Tiefenprofildarstellungen und Elementverteilungsanalysen. Ebenso ist die Fehleranalyse ein wichtiger Bestandteil unserer Arbeit. Layout-Modifikationen an integrierten Schaltkreisen unterstützen Iterationszyklen während der Testphase von Prototypen und die Maskenanpassung.
