GESTE

Das Projekt zielt auf die Entwicklung eines neuen Materialsystems für die thermoelektrische Umwandlung auf Chips bei Temperaturen im Bereich von 0-100 °C ab. Das Projekt umfasst eine umfassende Materialcharakterisierung, die es ermöglicht, das Potenzial von SiGeSn-Heterostrukturen als multifunktionales Material für die opto-thermoelektronische Integration zu bewerten, sowie die Herstellung von Prototypen für die Demonstration der thermoelektrischen Energieerzeugung.

Förderung

Das Projekt wird von der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG) gefördert.

Projektpartner

Institute 9 und JARA-Fundamentals of Future Information Technologies (JARA-FIT)
Forschungszentrum Jülich (FZJ)
Department of Experimental Physics and Functional Materials
BTU Cottbus-Senftenberg, Cottbus (BTU)

Die Website ist für moderne Browser konzipiert. Bitte verwenden Sie einen aktuellen Browser.