Das IHP bietet Forschungspartnern und Kunden Zugang zu seinen leistungsstarken SiGe:C-BiCMOS-Technologien mit speziellen integrierten RF- und Silizium-Photonik-Modulen.
Das IHP bietet einen Multi Project Wafer Service mit 0,13- und 0,25-μm-SiGe-BiCMOS-Technologien auf 8"-Silizium-Wafern an. Integrierte SiGe-Heterobipolartransistoren mit 500 GHz fmax sind für Forschung und Produktdesign qualifiziert, Bauelemente mit bis zu 700 GHz fmax sind in Entwicklung. Weiterhin ist ein Cadence-basiertes Mixed-Signal-Design-Kit verfügbar. Für Hochfrequenz-Designs kann ein analoges Design Kit mit Keysight ADS verwendet werden.
