Das IHP bietet Forschenden und Entwicklungsteams Zugang zu leistungsfähigen SiGe-BiCMOS- und Siliziumphotonik-Technologien für fortschrittliche Hochfrequenz-, mmWave-, Mixed-Signal- und photonische ICs. Der umfassende Multi-Project-Wafer (MPW)-Service nutzt 200-mm-/8-Zoll-Siliziumwafer.
Mit unseren MPW- und Prototyping-Services können Sie neue Chipdesigns auf etablierten 0,13-µm- und 0,25-µm-Technologieplattformen validieren – einschließlich HBT-Performance mit bis zu 650 GHz fmax, ohne die Kosten eines dedizierten Wafer-Laufs.
Die Standard-CMOS-Prozesse mit 0,13 µm und 0,25 µm bieten NMOS, PMOS, isolierte NMOS sowie passive Bauelemente wie Polysilizium-Widerstände und MIM-Kondensatoren. Zusätzlich zu den Standardprozessen stehen verschiedene Front-End-of-Line-Optionen zur Verfügung, darunter eine erweiterte BEOL-Option mit Kupfer.
Eine vollständige Übersicht über Technologien und Auslieferungstermine finden Sie unter MPW Schedule and Price Information.
Design und Fertigung
Design Kits für Cadence und Keysight ADS unterstützen den Entwicklungsprozess vom Schaltungsdesign über das Prototyping bis hin zur Kleinserienfertigung.
Wir bieten:
- ein Cadence-basiertes Mixed-Signal Design Kit,
- ein analoges Keysight ADS Design Kit für Hochfrequenzdesign,
- wiederverwendbare Wireless- und Breitband-IP/-Blöcke,
- PDK-Unterstützung für spezialisierte Module.
Zentrale SiGe-BiCMOS- und Siliziumphotonik-Technologien
0,13-µm-CMOS-Al-Backend: fünf dünne und zwei dicke Top-Metal-(TM)-Lagen: TM1 – 2 µm, TM2 – 3 µm.
Die Technologie SG13G3Cu bietet die leistungsfähigsten HBTs des IHP mit Transitfrequenzen von bis zu 500 GHz und maximalen Oszillationsfrequenzen von bis zu 650 GHz. Der Prozess umfasst ein 8-Lagen-Cu-BEOL von X-FAB mit dünnen Cu-Lagen, zwei dicken Cu-Lagen, einer dünnen Al-Lage mit einem MIM-Kondensator von 2 fF/µm sowie einer dicken Aluminium-Top-Lage. Die Technologie bietet CMOS-Bauelemente mit einer Gatelänge von 130 nm und einer Kernspannung von 1,2 V sowie Hochvolt-CMOS-Bauelemente mit einer Kernspannung von 3,3 V.
Kunden können die Basisprozesse um folgende spezialisierte Module erweitern:
- LBE (Localized Backside Etching)
- H7PIC
- MEMRES
- TSV
Weitere Informationen zu den angebotenen PDKs und der unterstützten Software finden Sie auf der Design-Kit-Seite.
SG13G2Cu: FEOL-Prozess SG13G2 in Kombination mit einer Cu-BEOL-Option von XFAB mit vier dünnen Cu-Lagen, zwei dicken Cu-Lagen, einer dünnen Al-Lage mit einem MIM-Kondensator von 2 fF/µm sowie einer dicken Aluminium-Top-Lage.
Verbesserungen passiver Bauelemente gegenüber Al BEOL:
- zwei dicke Kupfer-Metalllagen,
- zehnfach höhere Stromtragfähigkeit dünner Metalllagen und kleiner Vias,
- 40 % höhere Flächendichte des MIM-Kondensators.
Siliziumphotonik-Prozesse
Standard-Backend: drei dünne Metalllagen und zwei Top-Metal-(TM)-Lagen: TM1 – 2 µm, TM2 – 3 µm.
SG25H7_EPIC
Hauptfunktionalität: CMOS + Siliziumphotonik
SG25H7_EPIC ist eine monolithische photonische BiCMOS-Technologie mit npn-HBTs mit fT / fmax = >350/>500 GHz, Ge-Fin-Photodioden mit f3dB >110 GHz sowie einem vollständigen Satz photonischer Bauelemente für das C-/O-Band.
Details zum Photonic Integrated Circuit Module:
- 220 nm Si auf 2 µm SiO2,
- 3 Ätztiefen,
- 4 Dotierungsstufen (p, n, p+, n+),
- 3 + 2 dicke Al-Backend-Metalllagen,
- Germanium-Photodioden (f3dB >110 GHz),
- HBTs (fT / fmax = >350/>500).
