2D_Heterostrukturen

Durch die Bündelung des Know-hows und der Ressourcen der Projektpartner sollen im Rahmen des 2D_Hetero-Projekts verschiedene Möglichkeiten zur Herstellung von Graphen/HBN-Heterostrukturen auf mit der Si-Mikroelektronik kompatiblen Substraten erforscht und entwickelt werden.

Um diese Ziele zu erreichen, werden Graphen/HBN-Heterostrukturen mit zwei Hauptmethoden hergestellt: Molekularstrahlepitaxie und chemische Gasphasenabscheidung. Das Verfahren kann durch eine spezifische nukleationsunterstützte laterale Strukturierung verbessert werden, die im Laufe des Projekts entwickelt wird. Moderne Mikroskopie- und Spektroskopietechniken werden eingesetzt, um Informationen über die morphologischen, kristallographischen, chemischen und elektrischen Eigenschaften der Schichten zu erhalten. Atomistische Berechnungen mittels ab initio Dichtefunktionaltheorie, ergänzt durch groß angelegte kinetische Monte-Carlo-Simulationen, werden durchgeführt, um die Wachstumsmechanismen und optimalen Prozessbedingungen zu verstehen.

Im Rahmen dieses Projektes hat das IHP die Gesamtkoordination des Projektes, entwickelt die Wachstumsverfahren von hBN und Graphen, deckt die Wachstumsmechanismen durch DFT-Berechnungen auf und realisiert die 2D-Heterostrukturen

Finanzierung

hBN/Graphen 2D-Heterostrukturen: vom skalierbaren Wachstum zur Integration wird von der DFG im Rahmen der Flag-era 2019 gefördert.

Projektpartner

  • IEMN Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, France
  • University of Namur, Belgium             

 

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