Dr. Dawid Kot vom IHP – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik erhielt den Young Researcher Poster Award beim "Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018" in Okayama, Japan. Er wurde für seine Präsentation der gemeinsamen Publikation mit dem Münchner Unternehmen Siltronic zur Bildung von Komplexen von Gitterfehlstellen mit Sauerstoff bei sehr hohen Temperaturen, die er sowohl experimentell untersucht als auch theoretisch modelliert hat, ausgezeichnet. Siltronic zählt zu den führenden Anbietern von Siliziumwafern weltweit und seit vielen Jahren Kooperationspartner des IHP. Mit dem Preis werden drei Aspekte der Präsentation honoriert: die Publikation selbst, die mündliche Präsentation der Publikation und das Poster zu der Publikation. Die Preisträger wurden von führenden Wissenschaftlern ausgewählt.
Dawid Kot arbeitet seit 2007 am IHP und forscht im Bereich Defektkontrolle und Gettern von Siliziummaterialien. In diesem Bereich ist das vom 145. Komitee für die Verarbeitung und Charakterisierung von Kristallen der Japanischen Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaft (JSPS) organisierte Forum eine der führenden Konferenzen weltweit und bringt internationale Wissenschaftler und Wissenschaftlerinnen sowie junge Forschende zu Siliziummaterialien alle vier Jahre zusammen. Das Gremium entwickelt neue Verarbeitungs- und Charakterisierungstechnologien und bietet Forschenden Foren zur Interaktion, um zu Verbesserungen in Bezug auf das Wachstum von Silizium- und Verbundhalbleiterkristallen und bei Wafertechnologien beizutragen.
http://www.jsps.go.jp/english/
http://www.ec.okayama-u.ac.jp/~dm/siforum/English/home.html
https://www.siltronic.com/de/
