SIGEREL

Untersuchung der Langzeitdegradation des Hochfrequenzverhaltens von SiGe-Heterojunction-Bipolartransistoren und Schaltungen

Die übergeordneten Ziele dieses Projekts sind die experimentelle Untersuchung und vorläufige Modellierung der Langzeitdegradationseffekte von SiGe-HBTs und ausgewählten mm-Wellen-Schaltungsblöcken. Im Besonderen:

  • Die Untersuchungen werden für die am weitesten fortgeschrittenen IHP-HBT-Technologien durchgeführt.
  • Die Untersuchungen werden sich stark auf die Gewinnung experimenteller Ergebnisse konzentrieren, wobei der Schwerpunkt auf der Bestimmung des Ausmaßes der Degradation in der Hochfrequenz-Bauelement- und Schaltungsleistung aus Stress-Experimenten, sowohl an einzelnen Bauelementen als auch an Schaltungen liegt.
  • Es werden erste (vorzugsweise physikalisch basierte) Formulierungen zur Beschreibung von zeitabhängigen Degradationseffekten in den HBTs und ihren Kontaktbereichen entwickelt, die für kompakte Modelle geeignet sind.

IHP's Beitrag

  • Prozessintegration, Bauelemente- und Schaltungsfertigung, Langzeit-DC-Stresstests und 1/f-Rauschmessungen vor/nach Stress
  • Entwicklung einer zuverlässigkeitsbezogenen HBT-Parameterbestimmung
  • Gewinnung eines physikalischen Verständnisses der Degradationsmechanismen und ihrer Auswirkungen auf die HF-Schaltungsleistung

Förderung

Dieses Projekt wurde von der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG) gefördert - Projekt Nr. 391631565.

Projektpartner

  • Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente und Integrierte Schaltungen (CEDIC), TU Dresden

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